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    反射高能電子衍射儀 RHEED

    描述:反射高能電子衍射儀 RHEED可以*由計算機來控制.電子槍控制部分包括一個界面模塊和一個軟件包,這保證了RHEED的使用靈活性,和可重復性.用戶自己設定的參數可以被保存并調入,通過電子束光闌可以控制電子束的開關,使用電子束搖擺特征可以調節電子束入射角度.

    更新時間:2023-09-07
    產品型號:
    廠商性質:代理商
    詳情介紹
    產地類別進口價格區間面議
    應用領域環保,化工,生物產業,能源,電子

    反射高能電子衍射儀 RHEED

    儀器簡介:

    Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) has become widely known as an essential method for real-time observation of crystal growth. RHEED can be used to analyze film surfaces in either a static mode for existing materials or dynamically as film growth evolves. This makes RHEED an exceptionally valuable tool for investigating structures in Molecular Beam Epitaxy (MBE).

    In general, RHEED is a method for investing the structure of crystal surfaces. A high-energy electron beam(10-30KeV) is directed at the sample surface at a low incident angle(1-2°).The electrons are diffracted by the crystal structure of the sample being investigated and then projected on a fluorescent screen mounted opposite the electron gun. The characteristic pattern of the impinging electrons is a series of streaks. The distance between the streaks is an indication of the surface lattice cell size.

    RHEED系統可以實時監控表面結構,所以可以被廣泛應用于以下領域:

    • 結晶學(Crystallography)
    • 超導體(Superconductors)
    • 分子束外延生長Molecular beam epitaxy (MBE)
    • 化學氣相沉積Chemical vapor deposition
    • 激光脈沖沉積(PLD)、有機分子化學氣相沉積(MOCVD)
    • 冶金(Metallurgy)
    • 薄膜制備(Thin film deposition)
    • 涂層(Coatings)

    技術參數:

    30KeV Electron Gun:
    Beam Spot Size: 90micro meter dia. Maximum
    Filament: 0.1mm dia. Tungsten Wire (hairpin-shaped)
    Wehnelt: Self Bias
    Focus Lens: Air Core Solenoid Coil Lens
    Deflection Lens: Troidal Coil Lens
    Axial Alignment Mechanism: Alignment for Filament and Wehnelt
    Insulation Voltage: DC30KV
    Working Pressure: <10-4Pa to 10-9Pa
    Max. Bakeout Temperature: 200 degrees C
    Mounting Flange: ICF70
    Dimensions: 100mm dia. x 401mm long
    (501mm long with a connector inserted) 

    30KeV E-GUN POWER SUPPLY:
    Acceleration Voltage: 0 to -30KeV Constant Voltage Supply
    ( Ripple 0.03% Maximum)
    Beam Current: 0 to 160 micro ampere
    Filament Voltage: 0 to 5V Constant Voltage Supply
    (Ripple 0.05% Maximum)
    Filament Current: Max. 2A
    Deflection Lens Supply: 1A Constant Current Source(plus or minus1V)
    (Ripple 0.05% Maximum)
    Focus Lens Supply: 0 to 1.5A Constant Current Source(0 to 22V)
    (Ripple 0.05% Maximum)
    Input Power: 200V, 220V, 230V, 240V
    Dimensions: 480mm x 199mm x 500mm (cable +100mm)
    Safety Feature: High Voltage Interlock
    Others: RoHS-ready 

    反射高能電子衍射儀 RHEED

    主要特點:

    1. 電子槍部分
    RHEED電子槍是專門為進行衍射研究所設計的電子光學系統,其能量范圍從10到30keV。通過結合靜電和磁部件,保證了電子槍有高亮度、小斑點、低分散和極低放氣率的特征。電子槍可以*安裝在腔體外面,可以原位保養,可以烘烤。如果配備了差分抽氣系統,還可以在高壓環境下使用。

    2. 控制電源部分
    設計緊湊的提供30KeV能量的電子槍電源控制部分,由新穎的電子元件制造。電子槍的設置參數,如能量、燈絲電流、束流強度等都可以數字形式在顯示器上顯示,而且可以通過一個簡潔的控制面板遠程控制調節束流強度、聚焦位置等。系統具有自我診斷能力,可以快速全面地對RHEED系統進行檢查。

    3.電子束光闌
    通過電子束光闌可以控制束流的開關,這樣可以保證樣品上極低的電子負荷。光闌開關信號也可同時被外部信號觸發,這樣就使得RHEED可以在有干擾磁場下使用,并可以用來研究旋轉樣品。

    4. 電子束搖擺
    為了做RHEED分析,電子束必須以掠角方式入射樣品。 *的電子束搖擺特征,允許準確調節和變化電子束入射角度,而不用移動樣品。這個特征在對固定位置的樣品進行分析測試時是非常有用的

    5.差分抽氣系統
    通常的電子槍是為在如10-4 torr 這樣較高壓力條件下工作設計的,但是這樣必然導致燈絲壽命的縮短。帶有差分抽氣系統選項的RHEED系統, 保證了可以在高壓和有反應氣體存在的環境下進行日常的操作。對燈絲部分的高效抽氣,使得RHEED系統同其他系統相比有的靈活性。

    6. 計算機控制
    RHEED系統可以*由計算機來控制。電子槍控制部分包括一個界面模塊和一個軟件包,這保證了RHEED的使用靈活性,和可重復性。 用戶自己設定的參數可以被保存并調入,通過電子束光闌可以控制電子束的開關,使用電子束搖擺特征可以調節電子束入射角度。

    7. 熒光屏
    提供各種尺寸的熒光屏,它們有非常高的空間分辨率和*的對比度。熒光屏上的鍍鋁保護涂層確保熒光屏有非常好的電接觸特性,并可以屏蔽掉從真空腔來的一些游離光線,從而提高RHEED圖像的對比度。

    8.數據采集和分析系統
    RHEED Vision 是一套可以同現存的各種RHEED系統配套使用的功能非常強大的數據采集軟件, 它可以同時進行圖像處理和實時數據分析。并且有很多可選的數據縮減程序。另外還提供其它的硬件控制模塊,如鎖相外延生長,快門控制,激光脈沖觸發器等。

     

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